#ElectroNEWS
سامسونگ نسخه یک GAA MBCFET PDK سه نانومتری را معرفی می کند...
بعد از 7 نانومتر، 6 نانومتر، 5 نانومتر و 4 نانومتر چه می آید؟ درست است، 3 نانومتر! امروز در رویداد Foundry Forum سامسونگ ، سامسونگ اعلام کرد که اولین نسخه آلفای کیت طراحی محصول برای اولین فرآیند 3 نانومتری اش اکنون برای مشتریان آماده است. آنچه این خبر را ویژه می کند این است که 3 نانومتر نقطه تلاقی جایی است که سامسونگ قصد دارد نسل بعدی فناوری (Gate-All-Around (GAA را که جایگزین FinFET می شود ، معرفی کند.
فراتر از FinFET: حرکت به سوی Gate-All-Around
عامل اصلی نوآوری در فن آوری های فرآیند مبتنی بر منطق طی دهه گذشته FinFET بوده است. در مقایسه با ترانزیستور مسطح استاندارد ، با کاهش گره فرآیند ، FinFET امکان عملکرد و مقیاس گذاری ولتاژ بهتر را فراهم می کند و جنبه های منفی محدودیت های ترانزیستور را به حداقل می رساند. FinFET ها با افزایش سطح تماس بین کانال ترانزیستور و گیت با مقیاس گذاری در جهت عمودی کار می کنند ، که باعث می شود زمان ...
لینک تشریح خبر:
https://electroprogram.ir/?p=6267&preview=true
@ELectroProgram
سامسونگ نسخه یک GAA MBCFET PDK سه نانومتری را معرفی می کند...
بعد از 7 نانومتر، 6 نانومتر، 5 نانومتر و 4 نانومتر چه می آید؟ درست است، 3 نانومتر! امروز در رویداد Foundry Forum سامسونگ ، سامسونگ اعلام کرد که اولین نسخه آلفای کیت طراحی محصول برای اولین فرآیند 3 نانومتری اش اکنون برای مشتریان آماده است. آنچه این خبر را ویژه می کند این است که 3 نانومتر نقطه تلاقی جایی است که سامسونگ قصد دارد نسل بعدی فناوری (Gate-All-Around (GAA را که جایگزین FinFET می شود ، معرفی کند.
فراتر از FinFET: حرکت به سوی Gate-All-Around
عامل اصلی نوآوری در فن آوری های فرآیند مبتنی بر منطق طی دهه گذشته FinFET بوده است. در مقایسه با ترانزیستور مسطح استاندارد ، با کاهش گره فرآیند ، FinFET امکان عملکرد و مقیاس گذاری ولتاژ بهتر را فراهم می کند و جنبه های منفی محدودیت های ترانزیستور را به حداقل می رساند. FinFET ها با افزایش سطح تماس بین کانال ترانزیستور و گیت با مقیاس گذاری در جهت عمودی کار می کنند ، که باعث می شود زمان ...
لینک تشریح خبر:
https://electroprogram.ir/?p=6267&preview=true
@ELectroProgram