Электронное машиностроение 2025

Марафон «Траектория САПР 2026»

Продолжается приём заявок на Международный конкурс программных проектов в области САПР микроэлектроники — марафон «Траектория САПР 2026». Конкурс пройдёт в рамках III научно-технической конференции Союзного государства «Электронное машиностроение – 2026». 

Основная цель — развитие компетенций в области разработки средств автоматизации проектирования и популяризация отечественных разработок в сфере САПР микроэлектроники.

Организаторы конкурса АО «МНТЦ МИЭТ», ОАО «Планар» (Республика Беларусь), НИУ МИЭТ, ТУСУР,
МГУ им. М.В. Ломоносова, ННГУ,
ООО «ПК Аквариус», АО «НПО «КИС».
Конкурс проводится при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации и Министерства промышленности Республики Беларусь.

Как проходит конкурс?
• Заочный этап (онлайн): 13 апреля – 25 мая 2026
• Очный этап (защита проектов): 16–17 июня 2026, г. Минск

Кто может участвовать?
• Студенты средне‑профессиональных учебных заведений и вузов
• Возраст: 18–27 лет
• Гражданство: Россия или Республика Беларусь
• Команда: от 1 до 3 человек

Как принять участие?
• Собрать команду (1–3 человека), при желании — выбрать научного руководителя.
• Зарегистрироваться и выбрать задание на сайте: https://emkonf.ru/marathon#registrationm
• Скачать выбранное задание на сайте
• Получить входные данные от кураторов конкурса
• Выполнить задание и отправить решение
• Получить оценку от кураторов/членов жюри
 
Что даёт участие?
• Возможность решить реальную задачу отрасли
• Гарантированная стажировка с возможностью трудоустройства
• Ценный опыт командной работы
• Профессиональная оценка проекта экспертами
• Нетворкинг с лидерами отрасли
 
Регистрация Траектория САПР 2026

Telegram Конференция Электронное машиностроение

💬 Электронное машиностроение в МАХ

#МНТЦ #Технологии #САПР #Инновации #Наука

🇸🇪🇳🇱 Шведская компания AlixLabs и нидерландская компания VDL ETG Projects объявили о подписании меморандума о взаимопонимании по индустриализации технологии APS (Atomic Pitch Splitting)

🔬 Технология APS направлена на уменьшение шага топологии за счет атомно-слоевого травления (ALE, Atomic Layer Etching). В отличие от классического подхода, где требуемая геометрия формируется в литографии, здесь исходный рисунок задается с более крупным шагом, а затем уточняется через последовательные циклы травления с атомарной точностью. Такой подход рассматривается как более экономичная и энергоэффективная альтернатива усложняющимся схемам мультипаттернинга (multi-patterning) и EUV-литографии.

🤝 В рамках соглашения VDL ETG Projects будет играть ключевую роль в разработке и производстве промышленного оборудования APS, используя компетенции в системной интеграции и создании высокотехнологичных установок. Цель сотрудничества – довести технологию от стадии НИОКР к надежным промышленным решениям, готовым к внедрению на полупроводниковых фабриках.

По оценке компаний, внедрение технологии APS может снизить стоимость обработки и повысить производительность за счет более эффективного формирования структур на наноуровне.

⚙️ Технология ориентирована на применение в логике и памяти при переходе к следующим топологическим нормам. Фактически речь идет о попытке сформировать альтернативный подход к масштабированию, где часть задач литографии переносится на этап травления.

💬 Электронное машиностроение в МАХ

#ЭлМаш #технологии #ALE

🇺🇸 Американская Applied Materials представила новые системы под GAA-транзисторы 2 нм и ниже

Компания вывела на рынок две новые установки — Precision Selective Nitride PECVD и Trillium ALD, ориентированные на производство микросхем для ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Речь идет о переходе к транзисторам типа Gate-All-Around (GAA), где затвор окружает кремниевые нанослои со всех сторон. Такая архитектура обеспечивает более точный контроль тока, но существенно усложняет технологию: формирование транзисторов и межсоединений требует более 500 технологических операций на пластине, а требования к точности каждого процесса резко возрастают.

⚙️ Установка Precision Selective Nitride PECVD выполняет селективное осаждение нитрида кремния при более низких температурах. Она используется для формирования и сохранения изоляционных областей между транзисторами на последующих этапах обработки.

⚙️ Система Trillium ALD отвечает за формирование металлического затвора в GAA-структурах. Она объединяет несколько стадий осаждения металлов на одной платформе, поддерживает высокий вакуум и обеспечивает контроль толщины слоев на уровне ангстремов.

🏭 По данным компании, обе системы уже используются ведущими контрактными производителями при разработке техпроцессов 2 нм и более продвинутых узлов.

#ЭлМаш #технологии #AppliedMaterials

💬Электронное машиностроение в MAX

🔬 Исследователи из Калифорнийского университета в Дейвисе (University of California, Davis) показали, что кристаллы галогенидных перовскитов способны обратимо менять свою кристаллическую решетку под воздействием света. Работа опубликована в журнале Advanced Materials и описывает эффект фотострикции – деформации материала при освещении, ранее нехарактерный для классических полупроводников.

⚛️ Перовскиты представляют собой класс полупроводников с общей структурой ABX₃, где кристаллическая решетка формируется вокруг центрального атома, окруженного октаэдром из шести атомов. В отличие от кремния или арсенида галлия, такие материалы могут включать как органические, так и неорганические компоненты и потенциально дешевле в производстве.

⚡️В эксперименте кристаллы облучались лазером, а изменения решетки фиксировались с помощью рентгеновского зондирования. Выяснилось, что структура материала быстро изменяется под действием света и возвращается в исходное состояние после его отключения. Эффект является воспроизводимым и управляемым.

Ключевая особенность – управляемый отклик материала на свет. За счет изменения состава перовскита можно настраивать ширину запрещенной зоны (bandgap), то есть диапазон длин волн, при которых материал начинает поглощать излучение. При этом деформация решетки зависит не только от длины волны, но и от мощности излучения: отклик носит не дискретный, а градуируемый характер.

📍 Эффект открывает возможность создания устройств, в которых механические или электрические свойства управляются светом:
▪︎ фоточувствительные сенсоры;
▪︎ микроактуаторы;
▪︎ элементы оптоэлектроники с управляемыми параметрами.

Фактически речь идет о переходе к «адаптивным» полупроводниковым материалам, где функциональность определяется не только структурой устройства, но и внешним воздействием. Это расширяет архитектурные возможности за пределы традиционной кремниевой электроники.

💬Электронное машиностроение в MAX